Acrónimo del término inglés “Deep Reactive Ion Etching” (grabado profundo de iones reactivos). Fue desarrollado en los años ochenta y se emplea en la realización de microcomponentes de silicio. La práctica inexistencia de desviación en los cortes permite a los objetos realizados con una tecnología presentar un grado de similitud imposible de alcanzar en la fabricación de componentes metálicos según las técnicas tradicionales.
DRIE, Centre suisse d’électronique et de microtechnique, en Neuchâatel.